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MCCD2007-TP
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MCCD2007-TP
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 7A
MCCD2007-TP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1150pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：DFN2030-6
MCCD2007-TP 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MCCD2007-TP
|
MOSFET 2N-CH 20V 7A |
4页,608K | 查看 |