2N7335
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01
2N7335
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
2N7335 供应商
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- 说明
- 询价
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IR
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CDIP
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7
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台州
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2N7335 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:4 个 P 通道
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
- 功率 - 最大值:1.4W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:MO-036AB