20N06
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
20N06
单 FET,MOSFET产品简介:N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
20N06 供应商
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20N06
原装现货 -
韦盛/VSEEI
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TO-252
24+ -
8266
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深圳
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11-22
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只做大芯片,替代进口
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AOS
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TO-252
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装,假一赔十...
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FAIRCHILD
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TO-252
23+ -
58000
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上海市
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进口原装现货,杜绝假货。
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V/ELNAF
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TO-251
1910+ -
34521
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
20N06 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:2,500 : ¥1.61982卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1609 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):41W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63