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2N7000RLRMG 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：60pF @ 25V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：带盒（TB）
2N7000RLRMG (PDF下载)
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