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2N7334
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
2N7334
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
2N7334 供应商
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IOR
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14
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台州
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2N7334 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：4 个 N 通道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：1.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：MO-036AB