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1N60G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
1N60G
单 FET，MOSFET产品简介：SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
1N60G 供应商
- 公司
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- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
1N60G
原装现货 -
韦盛/VSEEI
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SOT-223
24+ -
77846
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深圳
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11-22
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只做大芯片/可代替进口/可订制
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UTC
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TO-92
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
1N60G 中文资料属性参数
- 现有数量：2,490现货
- 价格：1 : ￥4.36000剪切带（CT）2,500 : ￥1.54694卷带（TR）
- 系列：UMW
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-223
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA