搜索
发布采购
2N6766
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
2N6766
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 200V 30A TO3
2N6766 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
铁帽
- -
10
-
台州
-
-
-
自己现货，深圳可交易
2N6766 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：115 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：4W（Ta），150W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-3
- 封装/外壳：TO-204AE
2N6766