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2N7002L
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
2N7002L
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2N7002L 供应商
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2N7002LT1G
原装现货 -
ON
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15000
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深圳
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12-10
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2N7002LT1G
原装现货 -
ON
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SOT23
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QQ询价原装真实库存现货热卖
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onsemi
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TO-236AB
21+ -
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上海市
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一级代理原装
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ON
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SOT-23-3
22+授权代理 -
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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ORSEMI/安森美
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SOT-23-3
22+ -
668230
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上海市
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原装可开发票
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UTC
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SOT23
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先!请来电垂询！
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ON
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SOT-23
新批号 -
78900
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上海市
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ON
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SOT-23
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进口原装现货，杜绝假货。
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SOT23
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ON
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SOT-23
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
2N7002L 中文资料属性参数
- 现有数量：172,651现货
- 价格：1 : ￥2.07000剪切带（CT）3,000 : ￥0.36827卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：200mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N7002LT1
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Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts |
3 Pages页,150K | 查看 |
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2N7002LT1
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Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
4 Pages页,150K | 查看 |
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2N7002LT1
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N-CHANNEL ENHANCEMENT |
4 Pages页,150K | 查看 |
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2N7002LT1G
|
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
4 Pages页,59K | 查看 |
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2N7002LT3
|
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
4 Pages页,150K | 查看 |
|
2N7002LT3
|
Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts |
3 Pages页,150K | 查看 |
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2N7002LT3G
|
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
4 Pages页,59K | 查看 |