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DMTH6012LPSW-13
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMTH6012LPSW-13
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
DMTH6012LPSW-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：2,500 : ￥2.04796卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.22V @ 15V，75A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：785 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：78689-0001
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：Accelerometer，3 Axis，Impact
- 封装/外壳：8-PowerTDFN