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SPI10N10
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SPI10N10
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
SPI10N10 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：SIPMOS?
- 包装：管件
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 7.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 21μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：426 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO262-3-1
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
SPI10N10