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SISS76LDN-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SISS76LDN-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
SISS76LDN-T1-GE3 供应商
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VISHAY
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
SISS76LDN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：5现货
- 价格：1 : ￥10.57000剪切带（CT）3,000 : ￥4.49106卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：70 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.6A（Ta），67.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.3V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.25 毫欧 @ 10A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 35 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），57W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8SH
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8SH