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SIRA50ADP-T1-RE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SIRA50ADP-T1-RE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
SIRA50ADP-T1-RE3 供应商
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-
SIRA50ADP-T1-RE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAKSO-8
23+ -
9000
-
深圳
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01-08
-
原厂渠道，现货，支持实单
-
VISHAY
-
SMD
23+ -
5000
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上海市
-
-
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原装进口
SIRA50ADP-T1-RE3 中文资料属性参数
- 现有数量：1,220现货
- 价格：1 : ￥12.64000剪切带（CT）3,000 : ￥5.78098卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54.8A（Ta），219A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.04 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+20V，-16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），100W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8