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SIHS90N65E-E3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIHS90N65E-E3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
SIHS90N65E-E3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：87A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：591 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11826 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：625W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：SUPER-247?（TO-274AA）
- 封装/外壳：TO-247-3
SIHS90N65E-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHS90N65E-E3
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MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 |
7页,131K | 查看 |