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SIHP28N60EF-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIHP28N60EF-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
SIHP28N60EF-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VISHAY/威世
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TO-220AB-3
21+ -
10000
-
杭州
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-
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只做原装现货，大量现货热卖
SIHP28N60EF-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1,000 : ￥25.70998管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：123 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2714 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
- 封装/外壳：TO-220-3
SIHP28N60EF-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHP28N60EF-GE3
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MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3 |
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