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SIHK075N60EF-T1GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SIHK075N60EF-T1GE3
单 FET，MOSFET产品简介：E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SIHK075N60EF-T1GE3 供应商
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-
SIHK075N60EF-T1GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAK10x12
23+ -
8000
-
深圳
-
01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
SIHK075N60EF-T1GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：26现货
- 价格：1 : ￥61.13000剪切带（CT）2,000 : ￥33.37958卷带（TR）
- 系列：EF
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：71毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2954 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：192W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK?10 x 12
- 封装/外壳：8-PowerBSFN