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SIHH21N65EF-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIHH21N65EF-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
SIHH21N65EF-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：675现货
- 价格：1 : ￥51.52000剪切带（CT）3,000 : ￥27.16670卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2396 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 8 x 8
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
SIHH21N65EF-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHH21N65EF-T1-GE3
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MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK |
9页,196K | 查看 |