搜索
发布采购
SIHA11N80AE-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIHA11N80AE-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 800V 8A TO220
SIHA11N80AE-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VISHAY
-
SMD
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原装进口
SIHA11N80AE-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：12现货
- 价格：1 : ￥15.90000管件
- 系列：E
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：804 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220 整包
- 封装/外壳：TO-220-3 整包