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SI6423DQ-T1-BE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI6423DQ-T1-BE3
单 FET，MOSFET产品简介：P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SI6423DQ-T1-BE3 中文资料属性参数
- 现有数量：2,990现货
- 价格：1 : ￥14.07000剪切带（CT）3,000 : ￥6.42331卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 400μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：110 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.05W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-TSSOP
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）