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NTMFD020N06CT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD020N06CT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
NTMFD020N06CT1G 供应商
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onsemi
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21+ -
4500
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上海市
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一级代理原装
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ORSEMI/安森美
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SO-8FL Dual/DFN-8
22+ -
669506
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上海市
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原装可开发票
NTMFD020N06CT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：1,408现货4,500Factory
- 价格：1 : ￥18.44000剪切带（CT）1,500 : ￥9.07381卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），27A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20.3 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：355pF @ 30V
- 功率 - 最大值：3.1W（Ta），31W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）