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IRF640N 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF640N
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
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