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IRL40S212
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRL40S212
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRL40S212 供应商
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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InfineonTechnologies
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D2PAK
18+ -
500
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
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上海市
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原装现货
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INFINEON
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D2PAK
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
IRL40S212 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：StrongIRFET?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 150μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：137 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8320 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：231W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-3
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB