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IRFHE4250DTRPBF
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRFHE4250DTRPBF
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
IRFHE4250DTRPBF 供应商
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- 封装/批号
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International Rectifier
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PQFN 6X6
21+ -
9000
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上海市
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一级代理原装
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InfineonTechnologies
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32-PQFN(6x6)
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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INFINEON
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PG-TISON-30
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRFHE4250DTRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：FASTIRFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：86A，303A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.75 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1735pF @ 13V
- 功率 - 最大值：156W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：32-PowerWFQFN
- 供应商器件封装：32-PQFN（6x6）