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IRF9389PBF
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF9389PBF
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
IRF9389PBF 供应商
- 公司
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- 封装/批号
- 数量
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- 说明
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InfineonTechnologies
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8-SO
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF9389PBF 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,800 : ￥1.26797管件
- 系列：HEXFET?
- 包装：管件
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.8A，4.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 6.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：398pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO