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IPD65R380E6ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPD65R380E6ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPD65R380E6ATMA1 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
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Infineon
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TO-252-3, DPak
21+ -
1090
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上海市
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一级代理原装
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InfineonTechnologies
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PG-TO252-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IPD65R380E6ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：2,500现货
- 价格：1 : ￥18.13000剪切带（CT）2,500 : ￥8.29623卷带（TR）
- 系列：CoolMOS? E6
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 320μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：710 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63