FPF1C2P5BF07A
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
FPF1C2P5BF07A
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
FPF1C2P5BF07A 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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Fairchild
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Module
21+ -
536
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上海市
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一级代理原装
FPF1C2P5BF07A 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:5 N 沟道(太阳能逆变器)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):650V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 27A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
- 功率 - 最大值:250W
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:F1 模块
- 供应商器件封装:F1

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