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FF6MR12W2M1B70BPSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FF6MR12W2M1B70BPSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
FF6MR12W2M1B70BPSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：11现货
- 价格：1 : ￥2,828.81000托盘
- 系列：CoolSiC?+
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.63 毫欧 @ 200A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 80mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：496nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14700pF @ 800V
- 功率 - 最大值：20mW（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-EASY2B