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FDMD82100L
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDMD82100L
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
FDMD82100L 供应商
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onsemi
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WDFN12
21+ -
1671
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上海市
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一级代理原装
FDMD82100L 中文资料属性参数
- 现有数量：92现货
- 价格：1 : ￥18.68000剪切带（CT）3,000 : ￥8.54940卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19.5 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1585pF @ 50V
- 功率 - 最大值：1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：12-PowerWDFN
- 供应商器件封装：12-Power3.3x5