FDMC007N08LC
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
FDMC007N08LC
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
FDMC007N08LC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货,大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
668722
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上海市
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原装可开发票
FDMC007N08LC 中文资料属性参数
- 现有数量:10,449现货
- 价格:1 : ¥18.21000剪切带(CT)3,000 : ¥8.34454卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 21A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 120μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):41 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2940 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):57W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PQFN(3.3x3.3),Power33
- 封装/外壳:8-PowerWDFN

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