搜索
发布采购
DMT10H9M9LCT
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMT10H9M9LCT
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9LCT 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DIODES/美台
-
TO220AB
22+ -
572194
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
DMT10H9M9LCT 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货7,300Factory查看交期
- 价格：50 : ￥9.35860管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：101A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2309 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），156W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220-3
- 封装/外壳：TO-220-3