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DMN26D0UFB4-7B
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN26D0UFB4-7B
单 FET，MOSFET产品简介：DIODE
DMN26D0UFB4-7B 供应商
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DMN26D0UFB4-7B
原装现货 -
DIODES/美台
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22+ -
60000
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深圳
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12-10
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只做原装20年老牌供应商，现货请私聊
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DIODES
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SMD
23+ -
5000
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上海市
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原装进口
DMN26D0UFB4-7B 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 100mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14.1 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：X2-DFN1006-3
- 封装/外壳：3-XFDFN