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APTM10DHM09T3G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTM10DHM09T3G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
APTM10DHM09T3G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：POWER MOS V?
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：139A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
- 功率 - 最大值：390W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商器件封装：SP3