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IXFN52N100X
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN52N100X
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
IXFN52N100X 供应商
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IXYS/艾赛斯
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苏州
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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艾赛斯
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全新原装
23+ -
999
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上海市
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现货
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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艾赛斯
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标准封装
22+ -
5000
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上海市
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上海现货，实单可谈
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艾赛斯/IXYS
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module
19+ -
888
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苏州
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▊原装进口▊真实库存▊一级代理▊
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IXYS
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标准封装
20+ -
666
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上海市
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IXYS
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EA
21+ -
1200
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上海市
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IXFN52N100X 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货140Factory查看交期
- 价格：1 : ￥440.50000管件
- 系列：HiPerFET?, Ultra X
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 26A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：245 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6725 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：830W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227B
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC