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IXFN52N100X 的相关信息

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  • 现有数量：0现货140Factory查看交期
  • 价格：1 : ￥440.50000管件
  • 系列：HiPerFET?, Ultra X
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 26A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：245 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6725 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：830W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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