ZXMP6A16DN8TC
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01
ZXMP6A16DN8TC
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
ZXMP6A16DN8TC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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DiodesIncorporated
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8-SO
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMP6A16DN8TC 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:2,500 : ¥4.04933卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):85 毫欧 @ 2.9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):24.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1021pF @ 30V
- 功率 - 最大值:1.25W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO