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XPN3R804NC,L1XHQ
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
XPN3R804NC,L1XHQ
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
XPN3R804NC,L1XHQ 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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Toshiba
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2348 -
5000
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上海市
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原装，假一罚十
XPN3R804NC,L1XHQ 中文资料属性参数
- 现有数量：9,960现货
- 价格：1 : ￥11.69000剪切带（CT）5,000 : ￥4.71836卷带（TR）
- 系列：U-MOSVIII
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 300μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2230 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：840mW（Ta），100W（Tc）
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN