搜索
发布采购
WAS350M12BM3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
WAS350M12BM3
FET、MOSFET 阵列产品简介：SIC, MODULE, 350A, 1200V, 62MM,
WAS350M12BM3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
S106X61-7L
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
Wolfspeed, Inc.
-
标准封装
23+ -
1051
-
上海市
-
-
-
全新原装现货直销
-
Wolfspeed， Inc.
-
标准封装
23+ -
1051
-
苏州
-
-
-
全新原装现货直销
WAS350M12BM3 中文资料属性参数
- 现有数量：1现货
- 价格：1 : ￥7,262.47000盒
- 系列：-
- 包装：盒
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：417A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 350A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 85mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：844nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25700pF @ 800V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：-