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VQ1001P-E3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
VQ1001P-E3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
VQ1001P-E3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：4 个 N 通道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：830mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：110pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：-
- 供应商器件封装：14-DIP