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VP2206N3-G-P003
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
VP2206N3-G-P003
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
VP2206N3-G-P003 供应商
- 公司
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- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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Microchip
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TO-92
23+ -
800
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
VP2206N3-G-P003 中文资料属性参数
- 现有数量：515现货
- 价格：1 : ￥21.23000剪切带（CT）2,000 : ￥16.13838卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：640mA（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：450 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：740mW（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-92-3
- 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线