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VEC2616-TL-H-Z-W
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
VEC2616-TL-H-Z-W
FET、MOSFET 阵列产品简介：PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
VEC2616-TL-H-Z-W 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），2.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 1.5A，10V，137 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V，11nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：505pF @ 20V
- 功率 - 最大值：1W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：SOT-28FL/VEC8