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UT6JB5TCR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
UT6JB5TCR
FET、MOSFET 阵列产品简介：-40V DUAL PCH+PCH, DFN2020, POWE
UT6JB5TCR 中文资料属性参数
- 现有数量：3,018现货
- 价格：1 : ￥6.60000剪切带（CT）3,000 : ￥2.55388卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：122 毫欧 @ 3.5A， 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：265pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-PowerUDFN
- 供应商器件封装：HUML2020L8