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UM6X1NA-TP
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
UM6X1NA-TP
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL MOSFET, SOT-563
UM6X1NA-TP 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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MCCSEMI
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 6-Pin SOT-563 T/R
22+ -
45000
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上海市
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原装，假一罚十
UM6X1NA-TP 中文资料属性参数
- 现有数量：676现货
- 价格：1 : ￥2.46000剪切带（CT）3,000 : ￥0.43581卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：750毫欧 @ 300mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.28nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28pF @ 15V
- 功率 - 最大值：150mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-563