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UF3C065080B7S
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
UF3C065080B7S
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
UF3C065080B7S 中文资料属性参数
- 现有数量：5,339现货
- 价格：1 : ￥71.71000剪切带（CT）800 : ￥46.70668卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 20A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 12 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：136.4W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK-7
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA