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TSM2537CQ
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
TSM2537CQ
FET、MOSFET 阵列产品简介：-20V, -9A, COMPLEMENTARY P-CHANN
TSM2537CQ 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：12,000 : ￥4.55908卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.6A（Tc），9A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：677pF @ 10V，744pF @ 10V
- 功率 - 最大值：6.25W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-TDFN（2x2）