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TQM110NB04DCR RLG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
TQM110NB04DCR RLG
FET、MOSFET 阵列产品简介：40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
TQM110NB04DCR RLG 中文资料属性参数
- 现有数量：4,874现货
- 价格：1 : ￥29.49000剪切带（CT）2,500 : ￥14.78348卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），50A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1354pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2.5W（Ta），58W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-PDFNU（5x6）