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TPN1110ENH,L1Q
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPN1110ENH,L1Q
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
TPN1110ENH,L1Q 中文资料属性参数
- 现有数量：13,057现货
- 价格：1 : ￥13.36000剪切带（CT）5,000 : ￥5.39560卷带（TR）
- 系列：U-MOSVIII-H
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：114 毫欧 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），39W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-TSON Advance（3.1x3.1）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN