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TPH3208LDG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPH3208LDG
单 FET，MOSFET产品简介：GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LDG 中文资料属性参数
- 现有数量：150现货
- 价格：1 : ￥85.94000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 13A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 300μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）：±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PQFN（8x8）
- 封装/外壳：3-PowerDFN