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TPD3215M
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPD3215M
FET、MOSFET 阵列产品简介：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
TPD3215M 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 30A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2260pF @ 100V
- 功率 - 最大值：470W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：模块