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TPCC8104,L1Q(CM
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
TPCC8104,L1Q(CM
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON
TPCC8104,L1Q(CM 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：U-MOSVI
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+20V，-25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2260 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），27W（Tc）
- 工作温度：150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-TSON Advance（3.1x3.1）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN