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TP65H070LSG-TR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TP65H070LSG-TR
单 FET，MOSFET产品简介：GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
TP65H070LSG-TR 中文资料属性参数
- 现有数量：12,988现货
- 价格：1 : ￥104.30000剪切带（CT）500 : ￥72.01722卷带（TR）
- 系列：TP65H070L
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PQFN（8x8）
- 封装/外壳：3-PowerDFN