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TP65H035G4WS
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TP65H035G4WS
单 FET，MOSFET产品简介：GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
TP65H035G4WS 中文资料属性参数
- 现有数量：670现货
- 价格：1 : ￥148.27000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 0 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-3
- 封装/外壳：TO-247-3